Usuwanie warstw

Trawienie mokre – oferujemy trawienie różnych podłoży oraz osadzonych warstw w procesach mokrych. Procesy obejmują kontrolowane i powtarzalne trawienie:

  • warstw dwutlenku krzemu,
  • warstw krzemu poli- i monokrystalicznego,
  • warstw azotku krzemu i tlenko-azotku krzemu
  • cienkich warstw metalicznych – np. aluminium, tytanu i innych

Każdy z procesów może być prowadzony w trybie wsadowym (25 płytek) w systemie dry-in/dry-out. Procesy wykonywane są na podłożach o średnicach 100mm, 125mm, 150mm, aż do 200mm.

Anizotropowe trawienie krzemu

Trawienie suche – oferujemy trawienie w plazmie chlorowej ICP (ang. Inductively Coupled Plasma) przy pomocy jonów reaktywnych (RIE – ang. Reactive Ion Etching). Proces ten pozwala na selektywne, anizotropowe (o kontrolowanym profilu), i powtarzalne trawienie warstw technologicznych dzięki. Możliwość uzyskania nachylenia trawionych ścian > 85o oraz dobrej selektywności w stosunku do innych materiałów.

  • Anizotropowe trawienie warstw m.in.: aluminium (Al), polikrzemu (poly-Si), dwutlenku hafnu (HfO2), trójtlenku aluminium (Al2O3), możliwość trawienia innych materiałów (metale, dielektryki, półprzewodniki) po wcześniejszym uzgodnieniu
  • Generator plazmy RF 13,56 MHz oraz źródło plazmy ICP 2 MHz
  • Elektroda chłodzona cieczą w zakresie -30°C ÷ 80°C
  • Monitorowanie głębokości trawienia w trakcie realizacji procesu sterowanym komputerowo laserowym systemem interferometrycznym
  • Możliwość pracy na pojedynczych podłożach o średnicy do 200 mm, jak również małych kawałkach.

Czyszczenie masek oraz podłoży – oferujemy możliwość czyszczenia podłoży i masek fotolitograficznych według zasady „dry in dry out”.

  • Przystosowane do pracy z podłożami maskami fotolitograficznymi o rozmiarach 2,5”x2,5”, 5”x5”, 7”x7”, 9”x9”
  • Możliwość czyszczenia okrągłych podłoży krzemowych o średnicach do 200mm (50mm/2”, 100mm/4”, 150mm/6”, 200mm/8”)
  • Operacja mycia/trawienia masek fotolitograficznych wg zasady dry-in dry-out
  • System SPM dispense system do usuwania zanieczyszczeń organicznych z powierzchni płytek i masek fotolitograficznych
  • System Megasonic do usuwania z powierzchni płytek i masek fotolitograficznych małych cząstek o submikrometrowej wielkości
  • Efektywna i powtarzalna realizacja procesów SC1 i SC2 (standard dla podłoży krzemowych)

Czyszczenie dużych ilości podłoży – oferujemy czyszczenie dużych partii podłoży krzemowych oraz przygotowanie ich do dalszych procesów technologicznych. Możliwe procesy obejmują obróbkę:

  • w mieszaninie stężonego H2SO4 i O3 w temperaturze do 120oC
  • w mieszaninie SC1 (NH4OH, O3 i wody DI) w temperaturze ok. 80oC
  • w mieszaninie SC2 (HCl, O3, wody DI) w temperaturze ok. 80oC
  • w rozcieńczonym roztworze HF

Każdy z procesów może być prowadzony w trybie wsadowym (25 płytek) w systemie dry-in/dry-out. Procesy wykonywane są na podłożach o średnicach 100mm, 125mm, 150mm, aż do 200mm.

Każdy proces jest wyceniany indywidualnie w zależności od potrzeb klienta. W celu otrzymania wyceny prosimy o kontakt: technologia_3@cezamat.eu.

W zapytaniu prosimy o podanie procesów lub rezultatów, które chcą Państwo uzyskać.