Urządzenie do osadzania w plazmie metodą PECVD

Ogólna charakterystyka

Urządzenie do osadzania w plazmie metodą PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition) PlasmaPro 100 firmy Oxford Instruments znajduje zastosowanie m. in. w: nanoelektronice, fotonice, pasywacji czy wytwarzaniu warstw maskujących.

Specyfikacja techniczna

  • Próżniowa komora załadowcza (ang. Load-lock)
  • Generator plazmy RF 13,56 MHz oraz generator o zakresie częstotliwości 50-450 kHz
  • Sterowany komputerowo system do kontroli wzrostu warstwy in-situ w oparciu o analizę widma optycznego
  • Możliwość pracy na pojedynczych podłożach o średnicy do 200mm, jak również na małych kawałkach

Zastosowanie

  • Osadzanie warstw dwutlenku krzemu (SiO2), azotku krzemu (SiNx), tlenko-azotku krzemu (SiOxNy), krzemu amorficznego (a-Si) z możliwością kontroli składu i naprężeń