Implantator jonów

Ogólna charakterystyka

FLEXion 200 firmy IBS umożliwia prowadzenie implantacji jonów dla potrzeb m.in.: elektroniki, optoelektroniki i spintroniki.

Specyfikacja techniczna

  • Implantacja jonów od 1 AMU do 210 AMU
  • Implantacja jonów może być prowadzona z energiami od 5 keV do 200 keV na podłożach o średnicy 100 mm, 150mm i 200 mm
  • Robot do automatycznego załadunku płytek
  • Precyzyjna kontrola temperatury podłoża (od 100°C do 500°C)

Zastosowanie

  • Wytwarzanie obszarów źródeł i drenów
  • Formowanie napięcia progowego UTH przyrządów CMOS
  • Domieszkowanie obszarów emitera, bazy i kolektora przyrządów bipolarnych
  • Wykonywanie implantacji Well i Halo
  • Implantowanie jonami metali ziem rzadkich oraz jonami metali przejściowych
  • Inżynieria defektów przy podłożach podgrzewanych do 500°C
  • Technologia smart-cut